Yottamaster T7400 2TB SSD M.2 PCIe Gen4x4 NVMe 内蔵SSD 最大読込7450MB/s 書込6500MB/s 3D TLC NAND採用 ゲーミング用途対応 PS5 パソコン ノートPC ストレージ拡張用

【商品概要】
size：2TB style：TLC：
【ゲーマーとプロフェッショナル向けM.2 PCIe Gen4x4 NVMe】Yottamaster T7400 2TB M.2 NVMe SSDは、NVMe 2.0とPCIe Gen4x4を採用し、最適な条件下で最大7450MB/sの読込速度と6500MB/sの書込速度を実現します。大容量ファイルの処理やゲームプレイ、動画編集など、高いパフォーマンスが求められる作業に最適。1000K IOPSにより、マルチタスクも快適にこなし、ゲーマーや動画編集者、テクノロジー愛好家におすすめです。
【耐久性と信頼性】232層の3D TLC NANDフラッシュメモリを搭載したこの2TB M.2 SSDは、高い耐久性と安定した性能を提供します。I/O速度は2400MT/sを達成し、データアクセスが高速化。平均故障間隔（MTBF）は1,500,000時間を超え、書き込み可能総量（TBW）は1000TBWと、重い負荷にも対応する設計で、長期間にわたって高性能を維持できます。
【冷却システム】Yottamaster T7400 2TB M.2 SSDは、銅製冷却プレートやシリコン系サーマルパッド、グラフェンヒートスプレッダーを備えた冷却構造を採用。長時間の使用でも効率的に放熱を行い、インテリジェントな温度管理と省電力機能により、過酷な環境下でも安定した性能を維持します。ゲーミングや動画編集などの高要求用途に最適です。
【高度な機能】SLCキャッシュ、ホストメモリバッファー（HMB）、エラーコレクション、データ保護などの機能を搭載し、確かな動作を保証します。TRIMコマンドやセキュアイレース、RAID機能などもサポートしており、最新技術に対応しています。
【必要に応じた豊富な容量選択肢】Yottamaster T7400 2TB SSDは、ゲームライブラリ全体や高解像度動画、プロ仕様のプロジェクト保存に十分なスペースを提供します。512GB、1TB、2TB、4TBのラインナップがあり、多様なストレージ要件に対応。据え置き型ゲーム機のストレージ拡張や、PC・ノートPCのアップグレードにも最適です。


size：1TB style：TLC：
【ゲーマーとプロフェッショナル向けM.2 PCIe Gen4x4 NVMe】Yottamaster T7400 1TB M.2 NVMe SSDは、NVMe 2.0とPCIe Gen4x4を採用し、最適な条件下で最大7100MB/sの読込速度と6500MB/sの書込速度を実現。大容量ファイルの処理やゲーム、動画レンダリングなど、高いパフォーマンスが求められる用途に最適です。1000K IOPSを誇り、マルチタスクも快適にこなし、ゲーマーや動画編集者、テクノロジー愛好家におすすめです。
【耐久性と信頼性】232層の3D TLC NANDフラッシュメモリを搭載したこの1TB M.2 SSDは、高い耐久性と安定性を提供します。I/O速度は2400MT/sを達成し、データアクセスが高速化。平均故障間隔（MTBF）は1,500,000時間を超え、書き込み可能総量（TBW）は500TBWと、重い負荷にも対応する設計で、性能を維持しながら長期間使用可能です。
【冷却システム】Yottamaster T7400 1TB M.2 SSDは、銅製冷却プレートやシリコン系サーマルパッド、グラフェンヒートスプレッダーを備えた冷却構造を採用。長時間の使用でも効率的に放熱を行い、インテリジェントな温度管理と省電力機能により、過酷な環境下でも安定した性能を維持します。ゲーミングや動画編集など、要求の高い用途に適しています。
【高度な機能】SLCキャッシュ、ホストメモリバッファー（HMB）、エラーコレクション、データ保護などの高度な機能を搭載し、確実な動作を保証します。TRIMコマンド、セキュアイレース、RAID機能などもサポートしており、最新技術に対応しています。
【必要に応じた豊富な容量選択肢】Yottamaster T7400 PC用SSD 1TBモデルは、ゲームライブラリ全体、高解像度動画、プロ仕様のプロジェクト保存などに十分なスペースを提供します。512GB、1TB、2TB、4TBのラインナップがあり、多様なストレージ要件に対応。据え置き型ゲーム機のストレージ拡張や、PC・ノートPCのアップグレードにも最適です。


size：4TB style：TLC：
【超高速の読み取り/書き込み速度】このSSDは、PCIE 4.0インターフェイス技術と3D NANDフラッシュの組み合わせにより